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DEME TFSI——下一代電子存儲(chǔ)器的節(jié)能潛力

2018-05-27 12:04:15 adman 1974

我公司專門提供DEME TFSI

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科學(xué)家們在《自然》雜志上發(fā)表DEME-TFSI重要應(yīng)用,發(fā)現(xiàn)通過(guò)注入或摻雜電子來(lái)可逆改變二維材料的原子結(jié)構(gòu)的方法。這個(gè)過(guò)程比目前的方法使用的能量要少得多,以改變材料結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。

“我們第一次表明,有可能通過(guò)注入電子來(lái)驅(qū)動(dòng)材料中的結(jié)構(gòu)相變,”研究的主要研究者向張、伯克利實(shí)驗(yàn)室材料科學(xué)系的高級(jí)教員、加州大學(xué)伯克利分校的教授說(shuō)。通過(guò)在物質(zhì)中加入電子,總能量上升并使平衡失去平衡,從而使原子結(jié)構(gòu)重新排列成一種更穩(wěn)定的新模式。這種電子摻雜驅(qū)動(dòng)的二維極限結(jié)構(gòu)相變不僅在基礎(chǔ)物理中很重要,而且在下一代超薄器件中也為新的電子存儲(chǔ)器和低功率開關(guān)打開了大門。


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標(biāo)簽:    N,N-Diethyl-2-methoxy-N-methylethanaminium bis[(trifluoromethyl)sulfonyl]azanide DEME TFSI DEME